دیتاشیت UN1066G-AB3-R
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
UN1066G-AB3-R
|
| حجم فایل |
52.206
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
5
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
UTC(Unisonic Tech) UN1066G-AB3-R
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
6A
-
Power Dissipation (Pd):
3.5W
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
250@5A,500mV
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
15V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@3A,60mA
-
Package:
SOT-89-3
-
Manufacturer:
UTC(Unisonic Tech)
